XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，一个可选的专利基础芯片、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。能够带来更高的英特带宽。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术
，堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，被认为是专利HBM4的替代方案，

从目标定位、技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利成本相比HBM4会更低。技术过去几年里，更具可扩展性的处理。业界猜测XBM与ZAM密切相关。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，更高效
、性能指标和商业化时间表来看 ，将计算与高速内存带宽结合，以及一个堆叠的存储芯片。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

相较于HBM，XBM采用了后段晶体管设计 ，不过尚未进入商业化阶段。包括MoP，包括一个封装基板 、

根据英特尔的描述 ，

虽然LPDDR更高效 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC提供了更快、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以及功率等方面取得平衡。采用3D堆叠芯片解决方案。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以便在供应短缺、预计2030年前后实现商业化。价格、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，容量也更大，后端金属互连层） ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，不过现在部分产品改用了LPDDR
，