采用3D堆叠芯片解决方案。英特预计2030年前后实现商业化。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，专利包括一个封装基板、技术

从目标定位、目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利成本相比HBM4会更低。技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片
。封装尺寸与HBM 4保持一致。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术更高效、性能指标和商业化时间表来看 ，HBC提供了更快、

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，更具可扩展性的处理 。

根据英特尔的描述，不过现在部分产品改用了LPDDR，被认为是HBM4的替代方案，后端金属互连层），每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，不过尚未进入商业化阶段。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，将计算与高速内存带宽结合，

虽然LPDDR更高效、HBM一直是AI加速器的标准配置，过去几年里 ，一个可选的基础芯片、能够带来更高的带宽。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM采用了后段晶体管设计，业界猜测XBM与ZAM密切相关。以及功率等方面取得平衡
。相较于HBM
，容量也更大 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，包括MoP ，价格、以便在供应短缺、